MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 11.8 mΩ Miglioramento, 105 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
214-8958
Codice costruttore:
AUIRFS4115-7TRL
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

105A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Dissipazione di potenza massima Pd

380W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Qualificato per il settore automobilistico

Link consigliati