1 MOSFET Infineon Singolo, canale Tipo N, TO-220FP Miglioramento, 3 Pin IRLIZ34NPBF

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Codice RS:
165-8101
Codice costruttore:
IRLIZ34NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di package

TO-220FP

Serie

HEXFET

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

4.8 mm

Altezza

8.9mm

Lunghezza

10.6mm

Numero elementi per chip

1

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 22 A, dissipazione di potenza massima di 37 W - IRLIZ34NPBF


Questo MOSFET è realizzato per applicazioni ad alta efficienza e offre caratteristiche essenziali per i professionisti dell'automazione e dell'elettronica. La sua configurazione a canale N funziona in modalità enhancement, rendendolo adatto a una serie di compiti. Il design garantisce prestazioni robuste in applicazioni che richiedono una commutazione e una gestione dell'alimentazione affidabili.

Caratteristiche e vantaggi


• Gestisce una corrente di drenaggio continua fino a 22A per prestazioni solide

• Funziona con una tensione drain-source di 55 V per applicazioni versatili

• La bassa resistenza termica migliora la dissipazione del calore

• La velocità di commutazione migliora la reattività del sistema

• L'elevata capacità di dissipazione di energia favorisce un funzionamento stabile

• Il pacchetto compatto TO-220 semplifica l'installazione e ottimizza lo spazio

Applicazioni


• Alta potenza nei circuiti elettrici

• Sistemi robotici e di automazione

• Gestione dell'alimentazione per dispositivi elettronici

• Azionamenti motore e inverter

• Circuiti di alimentazione per una maggiore efficienza

Come si comporta questo dispositivo a temperature diverse?


Questo MOSFET funziona efficacemente da -55°C a +175°C, garantendo affidabilità in diverse condizioni ambientali.

Che tipo di configurazione di circuito è compatibile con esso?


È adatto ai circuiti che richiedono la funzionalità di MOSFET a canale N, in grado di gestire efficacemente flussi di corrente e livelli di tensione elevati.

Quali sono le implicazioni della tensione di soglia del gate?


Con una tensione di soglia del gate compresa tra 1 e 2 V, consente la commutazione a basse tensioni, facilitando l'integrazione nei circuiti di controllo.

Come influisce la gestione termica sul suo funzionamento?


Una gestione termica efficiente è fondamentale, in quanto consente al dispositivo di mantenere le prestazioni senza surriscaldarsi, soprattutto in applicazioni ad alta potenza o continue.

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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