MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 20 A, TO-220FP, Su foro

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Codice RS:
857-8615
Codice costruttore:
IPA65R190E6XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

20 A

Tensione massima drain source

700 V

Tipo di package

TO-220FP

Serie

CoolMOS E6

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

190 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

34 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Carica gate tipica @ Vgs

73 nC a 10 V

Lunghezza

10.65mm

Larghezza

4.85mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

16.15mm

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