MOSFET STMicroelectronics, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 168-5889
Codice costruttore:: STF28N60DM2
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

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Confronta

Codice RS:: 168-5889
Codice costruttore:: STF28N60DM2
Costruttore:: STMicroelectronics

STF28N60DM2, N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	21 A
Tensione massima drain source	650 V
Serie	MDmesh DM2
Tipo di package	TO-220FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	160 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	34 nC a 10 V
Lunghezza	10.4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.4mm
Tensione diretta del diodo	1.6V

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

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MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics

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