MOSFET STMicroelectronics, canale N, 160 mΩ, 21 A, TO-220FP, Su foro

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Codice RS:
168-5889
Codice costruttore:
STF28N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

21 A

Tensione massima drain source

650 V

Tipo di package

TO-220FP

Serie

MDmesh DM2

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

160 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

30 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Larghezza

4.6mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

34 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

10.4mm

Materiale del transistor

Si

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.6V

Altezza

16.4mm

Paese di origine:
CN

MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.

Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema
Qualifica AEC-Q101


Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Link consigliati