MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 17,5 A, TO-247, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-4384
Codice costruttore:
IPW65R190CFDFKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

17,5 A

Tensione massima drain source

700 V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS™ CFD

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

190 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

3.5V

Dissipazione di potenza massima

151 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

68 nC a 10 V

Lunghezza

16.13mm

Materiale del transistor

Si

Larghezza

5.21mm

Numero di elementi per chip

1

Tensione diretta del diodo

0.9V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

21.1mm

Non applicabile

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CFD, 17,5A di corrente di scarico continua massima, 151W di dissipazione di potenza massima - IPW65R190CFDFKSA1


Questo MOSFET è progettato per applicazioni ad alte prestazioni e offre efficienti capacità di commutazione che migliorano la funzionalità dei circuiti elettronici. È ampiamente utilizzato nella conversione e nella gestione dell'energia, in quanto gestisce efficacemente tensioni e correnti elevate, rendendolo fondamentale per numerosi progetti di automazione e installazione elettrica. Con una tensione massima di drain-source di 700 V, soddisfa i rigorosi requisiti dei moderni progetti elettronici.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta una corrente di scarico continua massima di 17,5A per prestazioni affidabili
• La bassa resistenza di drain-source, pari a 190mΩ, aumenta l'efficienza
• Funziona a una temperatura massima di +150°C per una maggiore durata
• Utilizza una modalità di potenziamento, che consente un controllo preciso del flusso elettrico
• Viene fornito in un versatile pacchetto TO-247 per facilitare l'implementazione e l'integrazione
• Adatto sia per i processi di assemblaggio a foro passante che per quelli automatizzati

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari
• Impiegato nelle stazioni di ricarica dei veicoli elettrici per un trasferimento efficiente dell'energia
• Integrato nei sistemi di automazione industriale per un controllo efficace dei motori
• Applicabile nei circuiti di alimentazione che richiedono MOSFET di potenza ad alta efficienza
• Adatto all'elettronica di consumo che necessita di una commutazione ad alta tensione compatta e affidabile

Qual è il significato della tensione massima di soglia del gate?


La tensione massima di soglia del gate è importante per garantire il funzionamento efficace del dispositivo, definendo la tensione minima necessaria per la commutazione e migliorando così l'affidabilità dei progetti di circuito.

Questo componente è in grado di gestire ambienti ad alta temperatura?


Sì, può operare in sicurezza a temperature fino a +150°C, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta temperatura come i sistemi automobilistici e industriali.

In che modo il basso valore di Rds(on) è vantaggioso per il mio progetto di circuito?


Una Rds(on) più bassa riduce la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva dei sistemi di conversione di potenza e riducendo al minimo la generazione di calore, fondamentale per l'affidabilità.

Che tipo di connessioni elettriche supporta?


Supporta il montaggio a foro passante, rendendolo compatibile con le linee di assemblaggio automatizzate e con i metodi di saldatura tradizionali.

È compatibile con le applicazioni ad alta tensione?


Sì, è stato progettato specificamente per applicazioni ad alta tensione con una tensione massima di drain-source di 700 V, assicurando la versatilità in vari ambienti difficili.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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