MOSFET Infineon, canale N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
911-5029
Codice costruttore:
IPW60R190C6FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS C6

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

151W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

21.1mm

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.21mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET di potenza Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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