MOSFET Infineon, canale N, 60 mΩ, 22 A, TO-220 FP, Su foro

Codice RS:: 907-5003
Codice costruttore:: IRLIZ34NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 60 mΩ, 22 A, TO-220 FP, Su foro

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Codice RS:: 907-5003
Codice costruttore:: IRLIZ34NPBF
Costruttore:: Infineon

IRLIZ34NPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	22 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220 FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	37 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.8mm
Carica gate tipica @ Vgs	25 nC a 5 V
Lunghezza	10.6mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V
Altezza	8.9mm

MOSFET Infineon, canale N, 60 mΩ, 22 A, TO-220 FP, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon