MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro
Brand: Infineon
SKU: 165-8160
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	214 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.57mm
Carica gate tipica @ Vgs	106 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.36mm
Altezza	15.95mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

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