MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 9,3 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8186
Codice costruttore:: IRF630NSTRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 9,3 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 165-8186
Codice costruttore:: IRF630NSTRLPBF
Costruttore:: Infineon

IRF630NSPbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,3 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	82 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	11.3mm
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	35 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.83mm

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