MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 426 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRFS7430TRLPBF
- Codice RS:
- 218-3122
- Codice costruttore:
- IRFS7430TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
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- Codice RS:
- 218-3122
- Codice costruttore:
- IRFS7430TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 426A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | IRFS7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 460nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.65mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 426A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie IRFS7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 460nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.65mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N singolo da 40V serie Infineon HEXFET. È dotato di contenitore di tipo D2PAK (TO-263). È adatto per le applicazioni in cui la commutazione è inferiore a 100 KHz.
Diodo incorporato ottimizzato DV/dt e di/dt
Senza piombo
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