MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.2 mΩ, 400 A, 8 Pin, TO-263, Superficie IPT020N10N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0904
Codice costruttore:
IPT020N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

400A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza industriale IPT020N10N5 in TO-Leadless Infineon è la scelta ideale per le alte frequenze di commutazione.

Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la sincronizzazione Rec

Eccellente carica gate x prodotto (FOM) RDS(on)

Resistenza in stato attivo RDS(on) molto bassa

Resistenza in stato attivo RDS(on) molto bassa

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