MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.2 mΩ, 400 A, 8 Pin, TO-263, Superficie IPT020N10N5ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

4,46 €

(IVA esclusa)

5,44 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1780 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 94,46 €
10 - 244,24 €
25 - 494,15 €
50 - 993,88 €
100 +3,61 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0904
Codice costruttore:
IPT020N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

400A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza industriale IPT020N10N5 in TO-Leadless Infineon è la scelta ideale per le alte frequenze di commutazione.

Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la sincronizzazione Rec

Eccellente carica gate x prodotto (FOM) RDS(on)

Resistenza in stato attivo RDS(on) molto bassa

Resistenza in stato attivo RDS(on) molto bassa

Link consigliati