MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.2 mΩ, 400 A, 8 Pin, TO-263, Superficie IPT012N08N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0902
Codice costruttore:
IPT012N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

400A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza OptiMOS Infineon nel contenitore TO-Leadless è ottimizzato per applicazioni ad alta corrente fino a 300 A, come carrelli elevatori, veicoli elettrici leggeri (LEV), utensili elettrici, punti di carico (POL), telecomunicazioni e fusibili elettronici. Inoltre, le dimensioni del contenitore, più piccole del 60%, consentono un design molto compatto.

Canale N, livello normale

100% con test a valanga

Placcatura senza piombo

Conformità RoHS

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