MOSFET Infineon, canale N 800 V, 1.2 mΩ, 400 A, 8 Pin, TO-263, Superficie IPT012N08N5ATMA1
- Codice RS:
- 244-0902
- Codice costruttore:
- IPT012N08N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
6,68 €
(IVA esclusa)
8,15 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 974 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,68 € |
| 10 - 24 | 6,35 € |
| 25 + | 6,09 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-0902
- Codice costruttore:
- IPT012N08N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 400A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | IPT | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 400A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie IPT | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie IPT, tensione massima della sorgente di drenaggio di 800 V, corrente di drenaggio continua massima di 400 A - IPT012N08N5ATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione ad alta tensione e corrente elevata progettato per la conversione di potenza esigente e gli ambienti automobilistici. Funziona come transistor a canale N per il controllo di grandi carichi CC ed è progettato per applicazioni a montaggio superficiale in cui sono richieste resistenza termica e prestazioni elettriche robuste.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 800 V consente il funzionamento dell'interruttore ad alta tensione
• La corrente continua di 400 A supporta applicazioni con carichi pesanti
• La bassa Rds(on) di 1.2 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 81 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica del gate di 80 nC consente un controllo di commutazione prevedibile
• L'intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C garantisce un'ampia tolleranza termica
• La corrente continua di 400 A supporta applicazioni con carichi pesanti
• La bassa Rds(on) di 1.2 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 81 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica del gate di 80 nC consente un controllo di commutazione prevedibile
• L'intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C garantisce un'ampia tolleranza termica
Applicazioni
• Adatto per gli stadi degli inverter di trazione ad alta tensione
• Ideale per la gestione delle batterie e la distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con convertitori di potenza per uso automobilistico conformi ai requisiti AEC‐Q101
• Può essere utilizzato per la commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per topologie di convertitori CC-CC ad alta corrente
• Ideale per la gestione delle batterie e la distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con convertitori di potenza per uso automobilistico conformi ai requisiti AEC‐Q101
• Può essere utilizzato per la commutazione dell'azionamento del motore industriale
• Utilizzato per topologie di convertitori CC-CC ad alta corrente
Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?
Il dispositivo accetta fino a 20 V tra gate e sorgente e richiede livelli di azionamento gate appropriati entro questo limite.
Quale contenitore è necessario considerare per la gestione termica?
Il contenitore a montaggio superficiale TO‐263 offre un'ampia area del cuscinetto termico per il dissipatore di calore e la dissipazione termica del circuito stampato.
In che modo il componente gestisce la qualifica automobilistica?
È conforme allo standard di prova automobilistico AEC‐Q101 per i dispositivi a semiconduttore utilizzati nei veicoli.
Quale conformità alle normative ambientali è presente?
Il componente soddisfa i requisiti RoHS per le sostanze pericolose soggette a restrizioni.
Qual è il tipo di conduzione del canale e l'orientamento della commutazione?
Si tratta di un dispositivo a canale N configurato per la conduzione drain-source in configurazioni di interruttori convenzionali high-side o low-side.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ 8 Pin Superficie IPT020N10N5ATMA1
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ 8 Pin Superficie IPT026N10N5ATMA1
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ 8 Pin Superficie IPLU300N04S4R8XTMA1
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 1.2 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 40.7 mΩ Miglioramento TO-263, Superficie IPB80R290C3AATMA2
