MOSFET Infineon, canale N 800 V, 1.2 mΩ, 400 A, 8 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

2880,00 €

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3520,00 €

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Codice RS:
244-0906
Codice costruttore:
IPT026N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

400A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

IPT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale n IPT026N10N5 Infineon in contenitore TO-Leadless (TOLL) è ideale per le alte frequenze di commutazione. Con una riduzione dello spazio del 60% rispetto al contenitore D2PAK a 7 pin, TOLL è la soluzione perfetta laddove sono richiesti la massima efficienza, un eccellente comportamento EMI, nonché il miglior comportamento termico e la riduzione dello spazio.

Ideale per la commutazione ad alta frequenza e la sincronizzazione Rec

Eccellente carica gate x prodotto (FOM) RDS(on)

Resistenza in stato attivo RDS(on) molto bassa

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