MOSFET Infineon, canale P, 70 mΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8275
Codice costruttore:: IRF7406TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 70 mΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 165-8275
Codice costruttore:: IRF7406TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7406PbF P-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5,8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	70 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	59 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 70 mΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon

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