MOSFET Infineon, canale P, 70 mΩ, 5,8 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:
165-8275
Codice costruttore:
IRF7406TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

5,8 A

Tensione massima drain source

30 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

70 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

4mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

59 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1V

MOSFET di potenza a canale P da 30 V, Infineon


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Transistor MOSFET, Infineon


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