MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 70 mΩ Miglioramento, 6.2 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-5933
Codice costruttore:
IRF7241TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 6,2A di corrente di scarico continua massima, 2,5W di dissipazione di potenza massima - IRF7241TRPBF


Questo MOSFET è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione nei circuiti elettronici. Con una configurazione a canale P e una capacità di corrente di drain continua di 6,2A, è adatto a diverse applicazioni. Il funzionamento in modalità enhancement aumenta ulteriormente la sua adattabilità a diversi dispositivi elettronici, rendendolo un componente essenziale nei sistemi di automazione ed elettrici.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta una tensione massima drain-source di 40V per prestazioni elevate

• La bassa resistenza di accensione, pari a 70mΩ, migliora l'efficienza e riduce al minimo la generazione di calore

• Può sopportare una temperatura operativa massima di +150°C

• L'ampia gamma di tensioni di gate consente un'integrazione flessibile nella progettazione

• La configurazione a singolo transistor semplifica il layout del circuito e consente di risparmiare spazio

• La carica tipica del gate di 53nC a 10V consente una commutazione rapida

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia per l'automazione

• Adatta per il pilotaggio di carichi nell'elettronica di consumo

• Impiegato nei circuiti di conversione e regolazione dell'energia

• Incorporato in vari settori dell'industria elettrica

• Integrato nei sistemi di controllo motori e di automazione industriale

Qual è il significato della misura RDS(on) bassa?


Una misura RDS(on) bassa indica perdite di potenza inferiori durante il funzionamento, con conseguente miglioramento dell'efficienza e riduzione della generazione di calore.

In che modo la tensione massima del gate-source influisce sulle prestazioni?


L'intervallo massimo di tensione gate-source consente una maggiore compatibilità con diversi circuiti di pilotaggio, garantendo una commutazione affidabile in varie condizioni operative.

Quali sono le precauzioni da prendere durante l'installazione?


Assicurare una corretta gestione termica e verificare che le condizioni operative rimangano entro i valori massimi specificati, in particolare per quanto riguarda la tensione e la temperatura.

In che modo il comportamento in modalità enhancement influisce sulla progettazione dei circuiti?


Il funzionamento in modalità Enhancement significa che il transistor è spento a tensione di gate zero, con conseguente riduzione del consumo di energia durante lo standby e miglioramento dell'affidabilità complessiva del circuito.

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