MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 52 mΩ Miglioramento, 6.2 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SQ4431EY-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
819-3920
Codice costruttore:
SQ4431EY-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SQ Rugged

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

52mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

-1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, serie SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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