MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 819-3923
Codice costruttore:: SQ4850EY-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 819-3923
Codice costruttore:: SQ4850EY-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

SQ4850EY, Automotive N-Channel 60V (D-S) 175degC MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	SQ Rugged
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	47 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	6,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	1.55mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged

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