MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 47 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SQ4850EY-T1_GE3

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Codice RS:
819-3923
Codice costruttore:
SQ4850EY-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOIC

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

47mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

6.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.55mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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