MOSFET Vishay, canale Tipo P 100 V, 30 mΩ Miglioramento, 33.6 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ211ELP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2959
Codice costruttore:
SQJ211ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-0.82V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il canale P per uso automobilistico TrenchFET Vishay è un MOSFET di potenza da 100 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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