MOSFET Vishay, canale Tipo P 100 V, 30 mΩ Miglioramento, 33.6 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SQJ211ELP-T1_GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

8,64 €

(IVA esclusa)

10,54 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 2870 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,728 €8,64 €
50 - 1201,558 €7,79 €
125 - 2451,298 €6,49 €
250 - 4951,208 €6,04 €
500 +0,792 €3,96 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2959
Codice costruttore:
SQJ211ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

33.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-0.82V

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il canale P per uso automobilistico TrenchFET Vishay è un MOSFET di potenza da 100 V.

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati