MOSFET Vishay, canale P, 0.03 Ω, 33,6 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Codice RS:: 228-2958
Codice costruttore:: SQJ211ELP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 0.03 Ω, 33,6 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,463 €	1.389,00 €

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Codice RS:: 228-2958
Codice costruttore:: SQJ211ELP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SQJ211ELP-T1_GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	33,6 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8L
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	0.03 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si

MOSFET Vishay, canale P, 0.03 Ω, 33,6 A, PowerPAK SO-8L, Montaggio superficiale

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