MOSFET Vishay, canale Tipo P 100 V, 30 mΩ Miglioramento, 33.6 A, 4 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 228-2958
- Codice costruttore:
- SQJ211ELP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2958
- Codice costruttore:
- SQJ211ELP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 30mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensione diretta Vf | -0.82V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 30mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensione diretta Vf -0.82V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il canale P per uso automobilistico TrenchFET Vishay è un MOSFET di potenza da 100 V.
Testato al 100% Rg e UIS
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