MOSFET onsemi, canale N, 189 mΩ, 3,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 166-1667
- Codice costruttore:
- FDT86106LZ
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)
0,496 €
(IVA esclusa)
0,605 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Bobina* |
| 4000 + | 0,496 € | 1.984,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 166-1667
- Codice costruttore:
- FDT86106LZ
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 3,2 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Serie | PowerTrench |
| Tipo di package | SOT-223 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 189 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate minima | 1V |
| Dissipazione di potenza massima | 2,2 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Lunghezza | 3.7mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Carica gate tipica @ Vgs | 4,3 nC @ 10 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Larghezza | 6.7mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Altezza | 1.7mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 166-1667
- Codice costruttore:
- FDT86106LZ
- Costruttore:
- onsemi
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