MOSFET onsemi, canale N 100 V, 189 mΩ Miglioramento, 3.3 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie FDT86113LZ

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
759-9715
Codice costruttore:
FDT86113LZ
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

189mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.7mm

Altezza

1.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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