MOSFET onsemi, canale N, 189 mΩ, 3,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 759-9715
Codice costruttore:: FDT86113LZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 189 mΩ, 3,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Aggiunto

Prezzo per 1pz in confezione da 5

0,854 €

(IVA esclusa)

1,042 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
5 - 5	0,854 €	4,27 €
10 - 95	0,706 €	3,53 €
100 - 495	0,512 €	2,56 €
500 - 995	0,426 €	2,13 €
1000 +	0,364 €	1,82 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 759-9715
Codice costruttore:: FDT86113LZ
Costruttore:: onsemi

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,3 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	189 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	6.7mm
Lunghezza	3.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	4,1 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.7mm

Codice RS:: 759-9715
Codice costruttore:: FDT86113LZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 189 mΩ, 3,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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