MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 189 mΩ Miglioramento, 3.3 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie FDT86113LZ
- Codice RS:
- 759-9715
- Codice costruttore:
- FDT86113LZ
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 759-9715
- Codice costruttore:
- FDT86113LZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 189mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.7mm | |
| Lunghezza | 3.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 189mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.7mm | ||
Lunghezza 3.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
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