MOSFET onsemi, canale N, 189 mΩ, 3,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 759-9715
Codice costruttore:: FDT86113LZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 189 mΩ, 3,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 759-9715
Codice costruttore:: FDT86113LZ
Costruttore:: onsemi

FDT86113LZ, PowerTrench 100V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,3 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	189 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	4,1 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.7mm
Lunghezza	3.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.7mm

MOSFET onsemi, canale N, 189 mΩ, 3,3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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