2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo N, 62 mΩ, 5.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS6930B

Codice RS:: 166-1789
Codice costruttore:: FDS6930B
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo N, 62 mΩ, 5.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS6930B

Al momento non disponibile

Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.

Codice RS:: 166-1789
Codice costruttore:: FDS6930B
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	5.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	62mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.8nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4mm
	Lunghezza	5mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 5.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOIC
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 62mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.8nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.5mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4mm
	Lunghezza 5mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

MOSFET a doppio canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

I MOSFET ON PowerTrench® di Semis sono interruttori di potenza ottimizzati che offrono una maggiore efficienza del sistema e una maggiore densità di potenza. Combina una carica di gate ridotta, un piccolo recupero inverso e un diodo del corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.

Le prestazioni del diodo a corpo morbido dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito snubber o di sostituire un MOSFET a tensione nominale più elevata.

Transistor MOSFET, ON Semi

I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo N, 62 mΩ, 5.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS6930B

MOSFET a doppio canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!