2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo N, 62 mΩ, 5.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS6930B

Codice RS:: 671-0655
Codice costruttore:: FDS6930B
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo N, 62 mΩ, 5.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS6930B

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Codice RS:: 671-0655
Codice costruttore:: FDS6930B
Costruttore:: onsemi

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	5.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	62mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.8nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4mm
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N, Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 5.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package SOIC
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 62mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.8nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.5mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4mm
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

MOSFET a doppio canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

I MOSFET ON PowerTrench® di Semis sono interruttori di potenza ottimizzati che offrono una maggiore efficienza del sistema e una maggiore densità di potenza. Combina una carica di gate ridotta, un piccolo recupero inverso e un diodo del corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.

Le prestazioni del diodo a corpo morbido dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito snubber o di sostituire un MOSFET a tensione nominale più elevata.

Transistor MOSFET, ON Semi

I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo N, 62 mΩ, 5.5 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS6930B

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