2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale N, 13.5 Ω, 115 mA 60 V, SC-70, Superficie Miglioramento, 6 Pin 2N7002DW

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Codice RS:
166-1841
Codice costruttore:
2N7002DW
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

115mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SC-70

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

200mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Lunghezza

2mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.25mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il 2N7002DW è un MOSFET a canale N doppio per impieghi generali. Presenta bassa resistenza all'accensione e bassa tensione di soglia del gate. Offre inoltre una velocità di commutazione rapida ed è disponibile in un contenitore per montaggio superficiale ultraportatile. Questo MOSFET a canale N doppio è tipicamente utilizzato in tutte le applicazioni generiche, ma è comunemente utilizzato nei controlli del motore e nelle funzioni di gestione dell'alimentazione (Power Management Functions).

Caratteristiche e vantaggi:


• Dual N-Channel

• Bassa resistenza

• Bassa soglia di gate

• Velocità di commutazione rapida

• Bassa perdita di ingresso e uscita

MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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