MOSFET onsemi, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Il 2N7002DW è un MOSFET a canale N doppio per impieghi generali. Presenta bassa resistenza all'accensione e bassa tensione di soglia del gate. Offre inoltre una velocità di commutazione rapida ed è disponibile in un contenitore per montaggio superficiale ultraportatile. Questo MOSFET a canale N doppio è tipicamente utilizzato in tutte le applicazioni generiche, ma è comunemente utilizzato nei controlli del motore e nelle funzioni di gestione dell'alimentazione (Power Management Functions).

• Dual N-Channel
• Bassa resistenza
• Bassa soglia di gate
• Velocità di commutazione rapida
• Bassa perdita di ingresso e uscita

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.