MOSFET DiodesZetex, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 708-2399
Codice costruttore:: 2N7002W-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 708-2399
Codice costruttore:: 2N7002W-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	115 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	13,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	200 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.35mm
Lunghezza	2.2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 13,5 Ω, 115 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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