MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 19 A, MLP8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2678
Codice costruttore:: FDMC86240
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 19 A, MLP8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,974 €

(IVA esclusa)

1,188 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,974 €	2.922,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2678
Codice costruttore:: FDMC86240
Costruttore:: onsemi

MOSFET N Channel Power trench
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	19 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	MLP8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	97 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC a 10 V
Lunghezza	3.3mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 19 A, MLP8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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