MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 37 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2548
Codice costruttore:: FDB2552
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 37 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)**

0,986 €

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1,203 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
800 +	0,986 €	788,80 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2548
Codice costruttore:: FDB2552
Costruttore:: onsemi

FDB2552/FDP2552, PowerTrench 150V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	37 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	97 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.67mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	11.33mm
Carica gate tipica @ Vgs	39 nC a 10 V
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 97 mΩ, 37 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor

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