MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 73 mΩ Miglioramento, 101 A, 4 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1296,00 €

(IVA esclusa)

1584,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 17 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +1,62 €1.296,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
230-9080
Codice costruttore:
NTB7D3N15MC
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

101A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB7D

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

73mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

166W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

15.88mm

Larghezza

4.83 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET on Semiconductor - MOSFET con canale N schermato per trench di potenza che ha una tensione da drain a source di 150 V.

Prestazioni di commutazione ottimizzate

Max RDS(ON) = 7,3 mΩ a VGS = 10 V, ID = 62A

Il più basso Qrr e il più basso diodo corpo del settore per un'eccellente commutazione a bassa rumorosità

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Elevata efficienza con picchi di commutazione e EMI ridotti

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Commutazione migliorata FOM in particolare Qgd

Testato al 100% con UIL

Nessuna necessità o meno circuito di protezione

Link consigliati