MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 10.9 mΩ Miglioramento, 75.4 A, 4 Pin, TO-263, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

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Codice RS:
230-9077
Codice costruttore:
NTB011N15MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTB01

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

136.4W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

15.88mm

Larghezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET on Semiconductor - MOSFET con canale N schermato per trench di potenza che ha una tensione da drain a source di 150 V.

Prestazioni di commutazione ottimizzate

Max RDS(ON) = 10,9 mΩ a VGS = 10 V, ID = 75,4 A

Il più basso Qrr e il più basso diodo corpo del settore per un'eccellente commutazione a bassa rumorosità

Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET

Elevata efficienza con picchi di commutazione e EMI ridotti

Basso rumore di commutazione/livello di EMI

Commutazione migliorata FOM in particolare Qgd

Testato al 100% con UIL

Nessuna necessità o meno circuito di protezione

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