MOSFET onsemi, canale N, 0,0109 Ω, 75,4 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

MOSFET on Semiconductor - MOSFET con canale N schermato per trench di potenza che ha una tensione da drain a source di 150 V.

Prestazioni di commutazione ottimizzate
Max RDS(ON) = 10,9 mΩ a VGS = 10 V, ID = 75,4 A
Il più basso Qrr e il più basso diodo corpo del settore per un'eccellente commutazione a bassa rumorosità
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Elevata efficienza con picchi di commutazione e EMI ridotti
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Commutazione migliorata FOM in particolare Qgd
Testato al 100% con UIL
Nessuna necessità o meno circuito di protezione