MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 48 mΩ Miglioramento, 5.5 A, 6 Pin, SSOT, Superficie
- Codice RS:
- 166-3306
- Codice costruttore:
- FDC645N
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,269 € | 807,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-3306
- Codice costruttore:
- FDC645N
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | SSOT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 48mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.7 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package SSOT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 48mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.7 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
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