MOSFET onsemi, canale N, 36 mΩ, 6,3 A, SSOT-6, Montaggio superficiale

Codice RS:: 761-4426
Codice costruttore:: FDC655BN
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 36 mΩ, 6,3 A, SSOT-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 761-4426
Codice costruttore:: FDC655BN
Costruttore:: onsemi

FDC655BN, Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SSOT-6
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	36 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,6 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	5 nC a 5 V, 9 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 36 mΩ, 6,3 A, SSOT-6, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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