MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 0.0039 Ω Miglioramento, 160 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 166-3577
- Codice costruttore:
- FDD8870
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1147,50 €
(IVA esclusa)
1400,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 7500 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,459 € | 1.147,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-3577
- Codice costruttore:
- FDD8870
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 160A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0039Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 91nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 160A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0039Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Link consigliati
- MOSFET onsemi 6 160 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 6 50 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 6 1 DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 3 160 A Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 160 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 4 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 135 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 282 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
