MOSFET IXYS, canale Tipo N 1 kV, 1.3 Ω Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXTH12N100L

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

454,56 €

(IVA esclusa)

554,55 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 840 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 +15,152 €454,56 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-4606
Codice costruttore:
IXTH12N100L
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Tipo di package

TO-247

Serie

Linear

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

155nC

Dissipazione di potenza massima Pd

400W

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.26mm

Larghezza

5.3 mm

Altezza

21.46mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare


MOSFET di potenza canale N progettato specificamente per il funzionamento lineare. Questi dispositivi sono caratterizzati da polarizzazione estesa in avanti (FBSOA) per una maggiore robustezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati