MOSFET IXYS, canale N, 1,3 Ω, 12 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 168-4606
- Codice costruttore:
- IXTH12N100L
- Costruttore:
- IXYS
330 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)
18,763 €
(IVA esclusa)
22,891 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 30 + | 18,763 € | 562,89 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 168-4606
- Codice costruttore:
- IXTH12N100L
- Costruttore:
- IXYS
Normative
- Paese di origine:
- DE
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare
MOSFET di potenza canale N progettato specificamente per il funzionamento lineare. Questi dispositivi sono caratterizzati da polarizzazione estesa in avanti (FBSOA) per una maggiore robustezza e affidabilità.
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 12 A |
| Tensione massima drain source | 1000 V |
| Tipo di package | TO-247 |
| Serie | Linear |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 1,3 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 5V |
| Dissipazione di potenza massima | 400 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Larghezza | 5.3mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 155 nC a 20 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 16.26mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 21.46mm |
- Codice RS:
- 168-4606
- Codice costruttore:
- IXTH12N100L
- Costruttore:
- IXYS