MOSFET IXYS, canale Tipo N 1 kV, 660 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXFH18N100Q3
- Codice RS:
- 801-1382
- Codice costruttore:
- IXFH18N100Q3
- Costruttore:
- IXYS
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 801-1382
- Codice costruttore:
- IXFH18N100Q3
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1kV | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 660mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 830W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 16.26mm | |
| Altezza | 16.26mm | |
| Larghezza | 5.3 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1kV | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 660mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 90nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 830W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 16.26mm | ||
Altezza 16.26mm | ||
Larghezza 5.3 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS
I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.
Diodo raddrizzatore intrinseco rapido
RDS(on) e QG (carica gate) ridotti
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitori conformi allo standard industriale
Contenitore a bassa induttanza
Alta densità di potenza
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS