MOSFET IXYS, canale Tipo N 1 kV, 1.3 Ω Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

21,20 €

(IVA esclusa)

25,86 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 860 unità in spedizione dal 01 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 121,20 €
2 - 417,50 €
5 - 916,97 €
10 - 1916,49 €
20 +15,68 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
686-7840
Codice Distrelec:
302-53-422
Codice costruttore:
IXTH12N100L
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Tipo di package

TO-247

Serie

Linear

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

400W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

155nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

21.46mm

Lunghezza

16.26mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare


MOSFET di potenza canale N progettato specificamente per il funzionamento lineare. Questi dispositivi sono caratterizzati da polarizzazione estesa in avanti (FBSOA) per una maggiore robustezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati