MOSFET IXYS, canale N, 1,3 Ω, 12 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 1,3 Ω, 12 A, TO-247, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 686-7840
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	1000 V
Serie	Linear
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,3 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	400 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	155 nC a 20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.3mm
Lunghezza	16.26mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	21.46mm