MOSFET IXYS, canale Tipo N 1 kV, 320 mΩ Miglioramento, 32 A, 3 Pin, TO-264, Foro passante

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Codice RS:
168-4702
Codice costruttore:
IXFK32N100Q3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Tipo di package

TO-264

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

320mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

195nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25kW

Tensione diretta Vf

1.4V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.13 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

26.16mm

Lunghezza

19.96mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS


I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

RDS(on) e QG (carica gate) ridotti

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitori conformi allo standard industriale

Contenitore a bassa induttanza

Alta densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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