MOSFET IXYS, canale N, 320 mΩ, 27 A, TO-264AA, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 320 mΩ, 27 A, TO-264AA, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 711-5382
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	27 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	TO-264AA
Serie	HiperFET, Q-Class
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	320 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Dissipazione di potenza massima	500 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	170 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	19.96mm
Larghezza	5.13mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	26.16mm

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