MOSFET IXYS, canale N, 27 mΩ, 120 A, TO-264, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 27 mΩ, 120 A, TO-264, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 802-4394
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	300 V
Tipo di package	TO-264
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	27 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,13 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.13mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	19.96mm
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Altezza	26.16mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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