MOSFET IXYS, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 320 mΩ, 32 A, TO-264, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 801-1409
Price: 37.32 EUR
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	32 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-264
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	320 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	6.5V
Dissipazione di potenza massima	1,25 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	19.96mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	195 nC a 10 V
Larghezza	5.13mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	26.16mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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