MOSFET IXYS, canale N, 600 mΩ, 22 A, TO-264, Su foro

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Codice RS:
686-7852
Codice costruttore:
IXTK22N100L
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

22 A

Tensione massima drain source

1000 V

Tipo di package

TO-264

Serie

Linear

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

600 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Dissipazione di potenza massima

700 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

19.96mm

Larghezza

5.13mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

270 nC a 15 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

26.16mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

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