1 MOSFET IXYS Singolo, canale Tipo N, 220 mΩ, 38 A 1000 V, SOT-227, Morsetto a vite Miglioramento, 4 Pin IXFN44N100Q3
- Codice RS:
- 168-4755
- Codice costruttore:
- IXFN44N100Q3
- Costruttore:
- IXYS
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- Codice RS:
- 168-4755
- Codice costruttore:
- IXFN44N100Q3
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 38A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1000V | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Tipo di package | SOT-227 | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 220mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30, -30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Larghezza | 25.07mm | |
| Lunghezza | 38.23mm | |
| Altezza | 9.6mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 38A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1000V | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Tipo di package SOT-227 | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 220mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30, -30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Larghezza 25.07mm | ||
Lunghezza 38.23mm | ||
Altezza 9.6mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- US
MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS HiperFETTM Q3
I MOSFET di potenza HiperFETTM classe Q3 di IXYS sono adatti sia per le applicazioni a commutazione rigida che in modalità risonante e offrono una bassa carica di gate con un'eccezionale robustezza. I dispositivi incorporano un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati, con valori nominali fino a 1100 V e 70 A. Le applicazioni tipiche includono convertitori c.c.-c.c., caricabatterie, alimentatori in modalità switching e in modalità risonante, interruttori c.c., controllo della temperatura e dell'illuminazione.
Diodo raddrizzatore intrinseco Fast
Basso RDS(on) e QG (carica gate)
Bassa resistenza intrinseca del gate
Contenitori standard industriali
Bassa induttanza del contenitore
Elevata densità di potenza
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzati di IXYS
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