MOSFET IXYS, canale N, 36 mΩ, 94 A, TO-3PN, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 36 mΩ, 94 A, TO-3PN, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 168-4742
Price: 12.73 EUR
Availability: OutOfStock

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)

10,436 €

(IVA esclusa)

12,732 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
30 +	10,436 €	313,08 €

*prezzo indicativo

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	94 A
Tensione massima drain source	300 V
Tipo di package	TO-3PN
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	36 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,04 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	102 nC a 10 V
Lunghezza	15.8mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.9mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	20.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	94 A
Tensione massima drain source	300 V
Tipo di package	TO-3PN
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	36 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,04 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	102 nC a 10 V
Lunghezza	15.8mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.9mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	20.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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