Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	36 A
Tensione massima drain source	300 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.83mm
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Lunghezza	10.66mm
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	36 A
Tensione massima drain source	300 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.83mm
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Lunghezza	10.66mm
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET IXYS, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

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