MOSFET STMicroelectronics, canale N, 93 mΩ, 34 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
168-5895
Codice costruttore:
STP43N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

34 A

Tensione massima drain source

650 V

Tipo di package

TO-220

Serie

MDmesh DM2

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

93 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

250 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

60 nC a 10 V

Larghezza

4.6mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.4mm

Numero di elementi per chip

1

Altezza

15.75mm

Tensione diretta del diodo

1.6V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.

Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema
Qualifica AEC-Q101


Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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