MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 168-7116
Codice costruttore:: STP360N4F6
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

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Codice RS:: 168-7116
Codice costruttore:: STP360N4F6
Costruttore:: STMicroelectronics

STI360N4F6, STP360N4F6, N-Channel 40V, 120A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in I2PAK and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	TO-220
Serie	DeepGate, STripFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	340 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	15.75mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

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STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics

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