MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,7 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

120 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

TO-220

Serie

STripFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

3,7 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

310 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

4.6mm

Carica gate tipica @ Vgs

170 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

15.75mm