MOSFET STMicroelectronics, canale N, 380 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

11 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

TO-220

Serie

FDmesh

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

380 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

109 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Carica gate tipica @ Vgs

24,5 nC a 10 V

Lunghezza

10.4mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.6mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

15.75mm