MOSFET Infineon, canale N, 380 mΩ, 14,1 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
892-2267
Codice costruttore:
IPP50R380CEXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

14,1 A

Tensione massima drain source

550 V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS™ CE

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

380 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

98 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

10.36mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

24,8 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.57mm

Altezza

15.95mm

Tensione diretta del diodo

0.85V

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, 14,1A di corrente di drenaggio continua massima, 98W di dissipazione di potenza massima - IPP50R380CEXKSA1


Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni di potenza ad alta tensione, con particolare attenzione all'efficienza e all'affidabilità. Incorporando la tecnologia CoolMOS™, migliora le prestazioni di commutazione riducendo al minimo le perdite, rendendole vantaggiose per varie applicazioni industriali e migliorando significativamente la gestione dell'energia.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa Rds(on) riduce le perdite di conduzione, contribuendo all'efficienza
• L'elevato valore della corrente di drenaggio continua è adatto ad applicazioni rigorose
• Semplifica l'integrazione nei sistemi esistenti grazie alla facilità di guida
• La tensione di soglia flessibile del gate amplia la compatibilità con diversi circuiti
• Il design robusto della confezione assicura la durata in ambienti difficili

Applicazioni


• Adatto agli stadi di correzione del fattore di potenza (PFC)
• Funziona bene negli stadi PWM a commutazione forte
• Applicabile alla commutazione risonante per televisori LCD e PDP
• Efficace nell'illuminazione per una gestione efficiente dell'energia
• Utilizzato negli alimentatori per PC e sistemi di automazione

Qual è la tensione di gate-source ottimale per il funzionamento?


Il MOSFET funziona efficacemente con una tensione massima gate-source di ±30 V, ottimizzando il controllo in diverse applicazioni.

Come si comporta questo componente in ambienti termici?


Con una potenza massima dissipata di 98 W, funziona in modo efficiente tra -55°C e +150°C, rendendolo adatto a una vasta gamma di condizioni termiche.

Questo componente è in grado di gestire correnti pulsate?


Può gestire correnti ad impulsi fino a 32,4A, supportando in modo competente le condizioni transitorie senza compromettere le prestazioni.

Quali vantaggi offre la tecnologia a supergiunzione?


La tecnologia a supergiunzione riduce le perdite di commutazione e di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva e prolungando la durata del dispositivo nelle applicazioni.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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